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CY22E016L-SZ35XI

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CY22E016L-SZ35XI

FabricantCypress Semiconductor
La descriptionIC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC
CatégorieCircuits intégrés (ci)
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Écrire le temps de cycle - Word, Page 35ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 28-SOIC
Séries -
Emballage Tube
Package / Boîte 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 16Kb (2K x 8)
Interface mémoire Parallel
Format de mémoire NVSRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 35ns 28-SOIC
Numéro de pièce de base CY22*016
Temps d'accès 35ns

CY22E016L

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