CY22E016L-SZ35XI
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CY22E016L-SZ35XI
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC |
| Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 35ns |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Supplier Device-Gehäuse | 28-SOIC |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 35ns 28-SOIC |
| Basisteilenummer | CY22*016 |
| Zugriffszeit | 35ns |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von CY22E016L-SZ35XI
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