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STU95N3LLH6

STU95N3LLH6
STMicroelectronics

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STU95N3LLH6

FabricanteSTMicroelectronics
DescripciónMOSFET N-CH 30V 80A IPAK
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo I-PAK
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs 4.7 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo) 70W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres 497-12704-5
STU95N3LLH6-ND
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

STx95N3LLH6

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:21616
  • 3000 pcs$1.187

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