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STU95N3LLH6

STU95N3LLH6
STMicroelectronics

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STU95N3LLH6

HerstellerSTMicroelectronics
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 80A IPAK
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max) 70W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-12704-5
STU95N3LLH6-ND
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)

STx95N3LLH6

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:21616
  • 3000 pcs$1.187

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