STU95N3LLH6
STU95N3LLH6
Hersteller | STMicroelectronics |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 80A IPAK |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andere Namen | 497-12704-5 STU95N3LLH6-ND |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 3000 pcs$1.187
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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