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TT8K11TCR

TT8K11TCR
LAPIS Semiconductor

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TT8K11TCR

FabricanteLAPIS Semiconductor
DescripciónMOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1A
Paquete del dispositivo 8-TSST
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 71 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max 1W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead
Otros nombres TT8K11TCRTR
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A

TT8K11

TSMT8 TR Taping Spec

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:66952
  • 3000 pcs$0.18

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