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TT8K11TCR

TT8K11TCR
LAPIS Semiconductor

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TT8K11TCR

HerstellerLAPIS Semiconductor
BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 71 mOhm @ 3A, 10V
Leistung - max 1W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead
Andere Namen TT8K11TCRTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A

TT8K11

TSMT8 TR Taping Spec

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:66952
  • 3000 pcs$0.18

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Einführung von TT8K11TCR

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