SP8M7FU6TB
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SP8M7FU6TB
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
| Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A, 7A |
| Número de pieza base | *M7 |
| RFQ | |
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ImagenNúmero de piezaFabricantesDescripciónVer -
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