SP8M7FU6TB
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SP8M7FU6TB
Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
Typ FET | N and P-Channel |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A, 7A |
Basisteilenummer | *M7 |
RFQ |
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