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DCX114EU-13R-F

DCX114EU-13R-F
Diodes Incorporated

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DCX114EU-13R-F

FabricanteDiodes Incorporated
DescripciónTRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SOT-363
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres DCX114EU-13R-FDI
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

DCX1zzzU

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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