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DCX114EU-13R-F

DCX114EU-13R-F
Diodes Incorporated

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DCX114EU-13R-F

HerstellerDiodes Incorporated
BeschreibungTRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SOT-363
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen DCX114EU-13R-FDI
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

DCX1zzzU

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:450005
  • 10000 pcs$0.039

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