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FGB40N6S2

FGB40N6S2
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FGB40N6S2

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónIGBT 600V 75A 290W TO263AB
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Condición de prueba 390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 8ns/35ns
Cambio de Energía 115µJ (on), 195µJ (off)
Paquete del dispositivo TO-263AB
Serie -
Potencia - Max 290W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres FGB40N6S2_NL
FGB40N6S2_NL-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 35nC
Descripción detallada IGBT 600V 75A 290W Surface Mount TO-263AB
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 180A
Corriente - colector (Ic) (Max) 75A
Número de pieza base FGB40N6

FG(H/P/B)40N6S2

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