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FGB40N6S2

FGB40N6S2
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FGB40N6S2

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungIGBT 600V 75A 290W TO263AB
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Testbedingung 390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 8ns/35ns
Schaltenergie 115µJ (on), 195µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB
Serie -
Leistung - max 290W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen FGB40N6S2_NL
FGB40N6S2_NL-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ -
Gate-Ladung 35nC
detaillierte Beschreibung IGBT 600V 75A 290W Surface Mount TO-263AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 180A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 75A
Basisteilenummer FGB40N6

FG(H/P/B)40N6S2

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Einführung von FGB40N6S2

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