TPH3208PD
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TPH3208PD
| Hersteller | Transphorm |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$13.957
- 10 pcs$12.561
- 50 pcs$11.445
- 100 pcs$10.328
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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-
BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von TPH3208PD
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