TPH3208LD
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TPH3208LD
| Hersteller | Transphorm |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | PQFN (8x8) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| Verlustleistung (max) | 96W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 4-PowerDFN |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 240 pcs$12.205
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von TPH3208LD
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