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BSM25GD120DN2BOSA1

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BSM25GD120DN2BOSA1

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescriçãoIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSContém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 3V @ 15V, 25A
Embalagem do dispositivo fornecedor Module
Série -
Power - Max 200W
Caixa / Gabinete Module
Outros nomes BSM25GD120DN2
SP000100370
Temperatura de operação 150°C (TJ)
NTC Thermistor No
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Entrada Standard
Tipo de IGBT -
Descrição detalhada IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
Atual - Collector Cutoff (Max) 800µA
Atual - Collector (Ic) (Max) 35A
Configuração Full Bridge
RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:152
  • 10 pcs$106.588

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