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BSM25GD120DN2BOSA1

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BSM25GD120DN2BOSA1

HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
BeschreibungIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusEnthält Blei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Supplier Device-Gehäuse Module
Serie -
Leistung - max 200W
Verpackung / Gehäuse Module
Andere Namen BSM25GD120DN2
SP000100370
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
NTC-Thermistor No
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 1.65nF @ 25V
Eingang Standard
IGBT-Typ -
detaillierte Beschreibung IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
Strom - Collector Cutoff (Max) 800µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 35A
Konfiguration Full Bridge
RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:152
  • 10 pcs$106.588

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Einführung von BSM25GD120DN2BOSA1

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