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APTM08TDUM04PG

APTM08TDUM04PG
Microsemi

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APTM08TDUM04PG

メーカーMicrosemi
説明MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ SP6-P
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.5 mOhm @ 60A, 10V
電力 - 最大 138W
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SP6
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4530pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 153nC @ 10V
FETタイプ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET特長 Standard
ソース電圧（VDSS）にドレイン 75V
詳細な説明 Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A

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