APTM08TDUM04PG
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APTM08TDUM04PG
| Fabricante | Microsemi |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | SP6-P |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Potencia - Max | 138W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP6 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 75V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A |
| RFQ | |
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