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APTM120A29FTG

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APTM120A29FTG

fabbricanteMicrosemi
DescrizioneMOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore SP4
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max 780W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP4
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A

Power Products Catalog

APTM120A29FTG

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:140
  • 100 pcs$134.659

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