APTM120A29FTG
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APTM120A29FTG
Hersteller | Microsemi |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Supplier Device-Gehäuse | SP4 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 348 mOhm @ 17A, 10V |
Leistung - max | 780W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | SP4 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 374nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 34A |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 100 pcs$134.659
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