SIE854DF-T1-E3
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SIE854DF-T1-E3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 10-PolarPAK® (L) |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 10-PolarPAK® (L) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
| RFQ | |
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