SIE854DF-T1-E3
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SIE854DF-T1-E3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 10-PolarPAK® (L) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 10-PolarPAK® (L) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von SIE854DF-T1-E3
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