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MMDF1N05ER2

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MMDF1N05ER2

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSContiene plomo / RoHS no conforme
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SOIC
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 300 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max 2W
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres MMDF1N05ER2OSCT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50V
Descripción detallada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A
Número de pieza base MMDF1N05E

MMDF1N05E

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