MMDF1N05ER2
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MMDF1N05ER2
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | MMDF1N05ER2OSCT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A |
Basisteilenummer | MMDF1N05E |
RFQ |
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