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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJE13007G

MJE13007G

MJE13007G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MJE13007G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS NPN 400V 8A TO220AB
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 400V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2A, 8A
Tipo de transistor NPN
Paquete del dispositivo TO-220AB
Serie SWITCHMODE™
Potencia - Max 80W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres MJE13007GOS
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 14MHz
Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 14MHz 80W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 5A, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 100µA
Corriente - colector (Ic) (Max) 8A

MJE13007

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:18928
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