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MJE13007G

MJE13007G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MJE13007G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungTRANS NPN 400V 8A TO220AB
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2A, 8A
Transistor-Typ NPN
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie SWITCHMODE™
Leistung - max 80W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen MJE13007GOS
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 14MHz
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 14MHz 80W Through Hole TO-220AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 5 @ 5A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8A

MJE13007

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:18928
  • 1 pcs$1.545
  • 10 pcs$1.326
  • 50 pcs$1.188
  • 100 pcs$1.049
  • 500 pcs$0.986
  • 1000 pcs$0.958

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