RN1109(T5L,F,T)
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RN1109(T5L,F,T)
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SSM |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Leistung - max | 100mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Andere Namen | RN1109(T5LFT)CT |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von RN1109(T5L,F,T)
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