APT35GT120JU2
APT35GT120JU2
Hersteller | Microsemi |
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Beschreibung | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-227 |
Serie | - |
Leistung - max | 260W |
Verpackung / Gehäuse | ISOTOP |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
NTC-Thermistor | No |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 2.53nF @ 25V |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
detaillierte Beschreibung | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 55A |
Konfiguration | Single |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 100 pcs$21.995
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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