APT35GP120J
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APT35GP120J
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Supplier Device-Gehäuse | ISOTOP® |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Leistung - max | 284W |
| Verpackung / Gehäuse | ISOTOP |
| Andere Namen | APT35GP120JMI APT35GP120JMI-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC-Thermistor | No |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 3.24nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| IGBT-Typ | PT |
| detaillierte Beschreibung | IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP® |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 64A |
| Konfiguration | Single |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$45.434
- 10 pcs$42.024
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von APT35GP120J
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