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NSBC115TPDP6T5G

NSBC115TPDP6T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBC115TPDP6T5G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungTRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SOT-963
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) -
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Leistung - max 339mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-963
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer NSBC1*

NSBC114TPDP6

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:129757
  • 8000 pcs$0.123

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Einführung von NSBC115TPDP6T5G

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