TPH3206LSB
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TPH3206LSB
| Fabricante | Transphorm |
|---|---|
| Descrição | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PQFN (8x8) |
| Série | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| Dissipação de energia (Max) | 81W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | 3-PowerDFN |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 8V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650V |
| Descrição detalhada | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$14.70
- 10 pcs$13.23
- 60 pcs$12.054
- 120 pcs$10.878
- 300 pcs$9.996
- 540 pcs$9.114
Os preços acima são exclusivos de impostos e taxas de remessa. O preço exato está sujeito à oferta final
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