RN2908FE(TE85L,F)
RN2908FE(TE85L,F)
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrição | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | ES6 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Power - Max | 100mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes | RN2908FE(TE85LF)TR |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 200MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RFQ |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 4000 pcs$0.074
Os preços acima são exclusivos de impostos e taxas de remessa. O preço exato está sujeito à oferta final
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