PDTB113ZS,126
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PDTB113ZS,126
Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
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Descrição | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-92-3 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Power - Max | 500mW |
Embalagem | Tape & Box (TB) |
Caixa / Gabinete | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Outros nomes | 934059146126 PDTB113ZS AMO PDTB113ZS AMO-ND |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Número da peça base | PDTB113 |
RFQ |
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