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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTC123JUBHZGTL

DTC123JUBHZGTL

DTC123JUBHZGTL
LAPIS Semiconductor

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DTC123JUBHZGTL

FabricanteLAPIS Semiconductor
DescriçãoNPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor UMT3F
Série Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Power - Max 200mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-85
Outros nomes DTC123JUBHZGTLTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 250MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) -
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

UMT3 T106 Taping Spec

DTC123JUBHZG

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:371734
  • 3000 pcs$0.041

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