FQD1N60CTM
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FQD1N60CTM
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | D-Pak |
Série | QFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes | FQD1N60CTM-ND FQD1N60CTMTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 11 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600V |
Descrição detalhada | N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
RFQ |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$0.438
- 10 pcs$0.348
- 30 pcs$0.286
- 100 pcs$0.268
- 500 pcs$0.258
- 1000 pcs$0.252
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