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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > RN1503(TE85L,F)

RN1503(TE85L,F)

RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1503(TE85L,F)

제조사Toshiba Semiconductor and Storage
기술TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 100mA
전압 - 파괴 SMV
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 50V
연속 -
RoHS 상태 Tape & Reel (TR)
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴) 22k
저항기 -베이스 (R1) (옴) 250MHz
전력 - 최대 300mW
편광 SC-74A, SOT-753
다른 이름들 RN1503(TE85LF)TR
잡음 지수 (f에서 dB Typ) 22k
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 RN1503(TE85L,F)
주파수 - 전환 70 @ 10mA, 5V
확장 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
기술 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

RN1501-06

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:2645
  • 3000 pcs$0.103

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