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집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > DMG963HE0R

DMG963HE0R

DMG963HE0R
Panasonic

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DMG963HE0R

제조사Panasonic
기술TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V, 30V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 500µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA
트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SSMini5-F4-B
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 10 kOhms, 47 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 10 kOhms
전력 - 최대 125mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-665
다른 이름들 DMG963HE0R-ND
DMG963HE0RTR
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 11 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini5-F4-B
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
기본 부품 번호 DMG963

DMG963HE

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:53583
  • 8000 pcs$0.295
  • 16000 pcs$0.291

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