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IRF6894MTR1PBF

IRF6894MTR1PBF
International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6894MTR1PBF

제조사International Rectifier (Infineon Technologies)
기술MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.1V @ 100µA
Vgs (최대) ±16V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DIRECTFET™ MX
연속 HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.3 mOhm @ 33A, 10V
전력 소비 (최대) 2.1W (Ta), 54W (Tc)
포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MX
다른 이름들 IRF6894MTR1PBFCT
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4160pF @ 13V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 Schottky Diode (Body)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 25V
상세 설명 N-Channel 25V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Ta), 160A (Tc)

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