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NSBC143EPDXV6T1

NSBC143EPDXV6T1
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBC143EPDXV6T1

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 비 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 1mA, 10mA
트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SOT-563
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 4.7 kOhms
전력 - 최대 500mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
다른 이름들 NSBC143EPDXV6T1OS
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 15 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
기본 부품 번호 NSBC1*

NSBC114EPDXV6T1,5 Series

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