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RN1413(TE85L,F)

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RN1413(TE85L,F)

メーカーToshiba Semiconductor and Storage
説明TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ S-Mini
シリーズ -
抵抗器 - ベース(R1) 47 kOhms
電力 - 最大 200mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 RN1413(TE85LF)TR
RN1413TE85,F
RN1413TE85F
RN1413TE85F-ND
RN1413TE85FTR
RN1413TE85FTR-ND
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 11 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

RN14(12,13)

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:1019760
  • 3000 pcs$0.035
  • 6000 pcs$0.032
  • 15000 pcs$0.028
  • 30000 pcs$0.025
  • 75000 pcs$0.022
  • 150000 pcs$0.018

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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