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TC58NYG1S3HBAI4

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TC58NYG1S3HBAI4

メーカーToshiba Memory America, Inc.
説明2G NAND SLC 24NM BGA
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
電源電圧 - 1.7 V ~ 1.95 V
技術 FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ 63-TFBGA (9x11)
シリーズ -
パッケージ/ケース 63-VFBGA
運転温度 -40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 2Gb (256M x 8)
メモリインタフェース -
メモリ形式 FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)

TC58NYG1S3HBAI4

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:3862
  • 210 pcs$4.321

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