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TC58CYG2S0HRAIG

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TC58CYG2S0HRAIG

メーカーToshiba Memory America, Inc.
説明4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
電源電圧 - 1.7 V ~ 1.95 V
技術 FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ 8-WSON (6x8)
シリーズ -
パッケージ/ケース 8-WDFN Exposed Pad
運転温度 -40°C ~ 85°C
装着タイプ Surface Mount
メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 4Gb (512M x 8)
メモリインタフェース SPI
メモリ形式 FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
クロック周波数 104MHz
RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:4524
  • 480 pcs$6.075

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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