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R1RP0416DSB-2PR#B0

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R1RP0416DSB-2PR#B0

メーカーRenesas Electronics America
説明IC SRAM IBIS ASYNC
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 12ns
電源電圧 - 4.5 V ~ 5.5 V
技術 SRAM
サプライヤデバイスパッケージ 44-TSOP II
シリーズ -
パッケージング Tube
パッケージ/ケース 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile
記憶容量 4Mb (256K x 16)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 SRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II
アクセス時間 12ns

R1RP0416D Series

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