APTM10DAM02G
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APTM10DAM02G
メーカー | Microsemi |
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説明 | MOSFET N-CH 100V 495A SP6 |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 10mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
電力消費(最大) | 1250W (Tc) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | SP6 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 40000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1360nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 495A (Tc) |
RFQ |
参考価格(USD)
在庫あり:127
- 100 pcs$133.886
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