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GP1M009A050HS

GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group

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GP1M009A050HS

メーカーGlobal Power Technologies Group
説明MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 850 mOhm @ 4.25A, 10V
電力消費(最大) 127W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-220-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1195pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 24nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 500V
詳細な説明 N-Channel 500V 8.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.5A (Tc)

GP1M009A050HS, FSH

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