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GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group

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GP1M005A050FSH

メーカーGlobal Power Technologies Group
説明MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.85 Ohm @ 2A, 10V
電力消費(最大) 32W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
他の名前 1560-1159-1
1560-1159-1-ND
1560-1159-5
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 602pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 11nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 500V
詳細な説明 N-Channel 500V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc)

GP1M005A050HS, FSH

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