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SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR436DP-T1-GE3 is warrantied and traceable.

SIR436DP-T1-GE3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.6 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 5W (Ta), 50W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
他の名前 SIR436DP-T1-GE3-ND
SIR436DP-T1-GE3TR
SIR436DPT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1715pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 47nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25V
詳細な説明 N-Channel 25V 40A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 40A (Tc)

SIR436DP

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:290
  • 3000 pcs$0.658

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