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SI1903DL-T1-GE3

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SI1903DL-T1-GE3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-6 (SOT-363)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 995 mOhm @ 410mA, 4.5V
電力 - 最大 270mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前 SI1903DL-T1-GE3TR
SI1903DLT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1.8nC @ 4.5V
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
詳細な説明 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 410mA
ベース部品番号 SI1903

SI1903DL

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:5064
  • 5 pcs$0.224
  • 50 pcs$0.184
  • 150 pcs$0.167
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