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FJNS3209RBU

FJNS3209RBU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FJNS3209RBU

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 40V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式 NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ TO-92S
シリーズ -
抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms
電力 - 最大 300mW
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 Short Body
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 100 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

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FJNS3209RBU関連の発表

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