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FDFMA3P029Z

FDFMA3P029Z
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDFMA3P029Z

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-MicroFET (2x2)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 87 mOhm @ 3.3A, 10V
電力消費(最大) 1.4W (Ta)
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース 6-VDFN Exposed Pad
他の名前 FDFMA3P029ZCT
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 435pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 10nC @ 10V
FETタイプ P-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
詳細な説明 P-Channel 30V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.3A (Ta)

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